《科创板日报》1月6日讯（编辑 宋子乔） 当地时间1月5日佛山股票配资论坛，CEO黄仁勋在CES 2026演讲上展示了英伟达新一代AI平台Vera Rubin。
英伟达高性能计算与AI基础设施解决方案高级总监Dion Harris将Vera Rubin描述为“六颗芯片构成的一台AI超级计算机”。这一平台由Vera CPU、Rubin GPU、第六代NVLink交换芯片、ConnectX-9网卡、BlueField 4 DPU以及Spectrum-X 102.4T CPO六大核心组件构成，面向云端与大型数据中心的下一代AI工作负载。
Rubin平台芯片
其中，Rubin GPU芯片搭载第三代Transformer引擎，NVFP4推理算力为50PFLOPS，是英伟达上一代Blackwell GPU的5倍。在整体架构层面，Vera Rubin平台在相同训练时间内可完成超大规模“专家混合”（Mixture of Experts，MOE）模型的训练，却只需原来四分之一数量的GPU，且每个token的训练成本降至原来的七分之一。英伟达同时强调，Vera Rubin将支持第三代机密计算技术，并将成为业界首个机架级可信计算平台，面向对安全隔离、数据隐私与多租户环境有高要求的AI场景。
据介绍，英伟达Rubin平台已进入全面生产阶段，基于该平台的产品将于2026年下半年通过合作伙伴面市。
新一代AI平台Rubin 为AI与高性能计算需求而生
为突破摩尔定律逼近物理极限、晶体管密度对算力边际贡献下降的瓶颈，英伟达于2025年10月29日推出Vera Rubin超级芯片。该超级芯片并未单纯堆积晶体管，而是通过CPU与GPU的异构协同、HBM4高带宽显存的搭配，以及CUDA生态的兼容，以架构与系统级创新实现算力跃升。Vera Rubin计算架构以第三代完全无缆化+100%全液冷设计重构硬件形态，从连接方式到散热系统全面革新。
旗舰产品Vera Rubin NVL72机架式系统的参数
从硬件配置来看，Vera Rubin超级芯片由RubinGPU与VeraCPU构成。RubinGPU被大量电源电路环绕，配备8个HBM4显存位点，且集成两颗Reticle尺寸GPU芯片；VeraCPU则搭载88个定制ARM核心，总计提供176个线程。
从性能迭代来看，英伟达芯片从Hopper、Blackwell演进至Rubin架构。Vera Rubin超级芯片作为该代旗舰，其VR200、VR300（Ultra）加速器的FP4算力分别达50、100PFLOPS，搭配288GBHBM4乃至1025GBHBM4E显存，带宽最高32TB/s，较前代Blackwell架构实现数倍提升；同时CPU从Grace系列升级为Vera系列，核心性能与线程数的提升进一步释放了异构协同的算力。
英伟达芯片从Hopper、Blackwell、Rubin架构演进 图源：爱建证券
Blackwell与Blackwell Ultra GPU已成为英伟达业绩的核心驱动力。在当下市场充斥着“AI泡沫论”的背景下，英伟达的FY26Q3财报依然亮眼。该季度数据中心Q3营收512亿美元，同比增长66%，环比增长25%，占英伟达总营收比例90%，主要由Blackwell Ultra爬坡带动，这无形中为性能超越Blackwell的Rubin新平台树立了更高的市场预期。
2025年10月29日，在GTC October2025大会上，黄仁勋公布了订单储备及GPU出货量方面的数据，过去四个季度，Blackwell GPU已出货600万块，预计生命周期总出货量将达2000万块，是上一代Hopper架构芯片的5倍，并于预计未来五个季度Blackwell和今年推出的Rubin芯片将合计带来5000亿美元的GPU销售收入。
Rubin供应链成关注焦点
据联合新闻网此前报道，黄仁勋在2025年11月8日受访时透露，下一代Rubin的节奏已开始进入产线，已经在生产线上看到Rubin身影，台积电正非常努力支援相关需求。针对市场最关切的供应链瓶颈，黄仁勋坦言，在高速成长阶段难免会出现不同项目的短缺，所幸目前三大存储器供应商SK海力士、三星、美光都已大幅扩充产能支援英伟达。
东吴证券表示，Rubin开启AI PCB高端材料新时代，M9与Q布掀起PCB价值跃升潮。AI服务器对高速信号完整性与低介电性能的要求持续提升，推动PCB材料进入全面升级周期。M9CCL凭借超低Df/Dk性能与优异可靠性，正成为AI服务器与高速通信系统的关键基材，有望推动PCB以及上游高端材料价值量迅速增长，成为推动PCB产业链进入新一轮高景气周期的核心动力，该机构关注相关公司如胜宏科技、菲利华等。
山西证券表示，考虑到英伟达GPU芯片主要用于AI服务器中，因此预计AI服务器技术将持续演进升级、需求将保持强劲增长。而相比于传统服务器，AI服务器在信号传输速率、数据传输损耗、布线密度等方面要求更高，需要具备更低的介电常数和介质损失因子，推动覆铜板向高频高速方向持续升级迭代，PPO树脂、碳氢树脂、low-dk电子布等高频高速覆铜板核心原材料需求有望快速提升。该机构建议关注圣泉集团、东材科技、中材科技。
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